收藏本站
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
100
20 ? s
100 ? s
1.1
1.0
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
1ms
10ms
DC
1. T C = 25 C
0.9
* Notes :
0.1
*Notes:
o
T J , Junction Temperature [ C ]
2. T J = 150 C
0.8
-100
1. V GS = 0V
2. I D = 250 ? A
-50 0 50 100 150 200
o
0.01
1
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
12
10
8
6
4
2
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
1. Z ? JC (t) = 0.75 C/W Max.
0.01
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
1
0.001
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z ? JC (t)
-1
10
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB12N50F Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDB12N50TM MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
FDB12N50UTM_WS MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
FDB14AN06LA0_F085 MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
FDB14N30TM MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
FDB150N10 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
FDB15N50 MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
FDB2532_F085 MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
FDB2614 MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
相关代理商/技术参数
FDB12N50TM 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB12N50U 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 10A, 0.8ヘ
FDB12N50U_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 10A, 0.8??
FDB12N50UTM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDB12N50UTM_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 10A, 0.8??
FDB12N50UTM_WS 功能描述:MOSFET 500V 10A 0.8Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB13AN06A0 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB13AN06A0_Q 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube